FinFET, noto anche come transistor ad effetto di campo Fin, è un tipo di transistor non planare o "3D" utilizzato nella progettazione di processori moderni. Come in precedenza, i progetti planari sono costruiti su un substrato SOI (silicio su isolatore). Tuttavia, i progetti FinFET utilizzano anche un canale conduttore che si eleva al di sopra del livello dell'isolante, creando una sottile struttura di silicio, a forma di pinna, che è chiamata un elettrodo di gate. Questo elettrodo a forma di aletta consente a più porte di operare su un singolo transistor.

Questo tipo di processo multi-gate estende la legge di Moore, consentendo ai produttori di semiconduttori di creare CPU e moduli di memoria più piccoli, più veloci e consumare meno energia. Intel ha iniziato a rilasciare la tecnologia della CPU FinFET nel 2012 con i suoi processori Ivy Bridge da 22 nm.

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